工艺流程晶体的生长晶体切片成wafer晶圆制作功能设计摸块设计钝路设计版图设计制作光罩工艺流程1)表面清洗晶圆表面附着一层大约2um的A1203和甘油混合液保护之，在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。2)初次氧化有热氧化法生成Si02缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术干法氧化Si(固)+02？Si02(固)湿法氧化Si(固)+2H20?Si02(固)+2H2干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当Si02膜较薄时，膜厚与时间成正比。S02膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SO2膜，需要较长的氧化时间。Si02膜形成的速度取决于经扩散穿过Si02膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在Si02膜中的扩散系数比02的大。氧化反应，Si表面向深层移动，距离为Si02膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的Si02膜，去除后的Si表面的深度也不同。Si02膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200m，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出(dSi02)/(dox)=(nox)/(nSi02)。Si02膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和Si02的亲水性来判断Si02膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。Si02和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10-10E+11/cm?2.eV-1数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。3)CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。1常压CVD(Normal Pressure CVD)NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置：(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室：(3)反应炉：(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜：当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。2低压CVD(Low Pressure CVD)此方法是以常压CD为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要特征：(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少：(2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性